[9a-E311-1~8] KS.1 固体量子センサ研究会

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[9a-E311-4] 同一領域観察によるSiO₂/SiC界面発光中心の熱処理挙動の評価

〇(D)大西 健太郎¹、原 征大¹、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大院工)

キーワード：

SiO2/SiC 界面、単一光子源、量子欠陥