セッション詳細
[9a-E311-1~8]KS.1 固体量子センサ研究会
2026年9月9日(水) 9:00 〜 11:15
E311 (総合教育棟 E棟)
[9a-E311-1]β-Ga2O3 における真性欠陥の光学遷移過程の理解に向けた第一原理計算
〇(M1)山田 亮太1、岩本 蒼典1、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工)
[9a-E311-2]量子欠陥スピンを⽤いた全光型量⼦センシングの実証
〇針井 一哉1、大門 俊介1、平石 秀徳2、土方 泰斗2、松下 雄一郎3,4,1、大島 武1,5、好田 誠5,6 (1.QST QUARC、2.埼大工、3.東大理、4.Quemix、5.東北大工、6.ワシントン大)
[9a-E311-3]量子欠陥スピンを⽤いた全光型量⼦センシングの理論
〇大門 俊介1、針井 ⼀哉1、平⽯ 秀徳2、⼟⽅ 泰⽃2、松下 雄⼀郎1,3,4、⼤島 武1,5、好⽥ 誠1,5,6 (1.QST、2.埼大工、3.東大理、4.Quemix、5.東北大工、6.ワシントン大)
[9a-E311-4]同一領域観察によるSiO2/SiC界面発光中心の熱処理挙動の評価
〇(D)大西 健太郎1、原 征大1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工)
[9a-E311-5]Room-Temperature and Microwave-Free Magnetometry Using Ce3+ centers in YAG
〇前田 純希1,2、河原 真斗1,2、高野 晃希1,2、旦野 克典3、山野 颯3、深見 俊輔1,2,4,5,6,7、金井 駿1,2,4,5,8,9 (1.東北大通研、2.東北大院工、3.トヨタ自動車、4.CSIS、5.WPI-AIMR、6.CIES、7.InaRIS、8.QST、9.DEFS)
[9a-E311-6]4H-SiC 中シリコン空孔イオン化断面積のサイト依存性評価
〇(DC)岡島 和希1、森岡 直也1,2、西川 哲理1,2、阿部 浩之3、村田 晃一4、大島 武3,5、土田 秀一4、水落 憲和1,2,6 (1.京大化研、2.京大CSRN、3.量研、4.電中研、5.東北大院工、6.高エネ研QUP)
[9a-E311-7]SiCシリコン空孔を用いた全光型温度分布イメージングの実装と評価
〇平石 秀徳1、針井 一哉2、大島 武2,3、好田 誠2,3,4、土方 泰斗1 (1.埼大工、2.QST、3.東北大工、4.ワシントン大)
[9a-E311-8]4H-SiC中近赤外域スピンPL5-PL7の光電流検出
〇森岡 直也1,2、西川 哲理1,2、阿部 浩之3、大島 武3,4、水落 憲和1,2,5 (1.京大化研、2.京大CSRN、3.量研、4.東北大院工、5.QUP KEK)
