講演情報
[9a-E311-6]4H-SiC 中シリコン空孔イオン化断面積のサイト依存性評価
〇(DC)岡島 和希1、森岡 直也1,2、西川 哲理1,2、阿部 浩之3、村田 晃一4、大島 武3,5、土田 秀一4、水落 憲和1,2,6 (1.京大化研、2.京大CSRN、3.量研、4.電中研、5.東北大院工、6.高エネ研QUP)
キーワード：
炭化ケイ素、シリコン空孔、光電流検出磁気共鳴
4H-SiC中のシリコン空孔（V1、V2中心）は量子デバイスへの応用が期待されるが、電荷ダイナミクスが未解明であった。本研究では単一欠陥レベルの光電流分光によりV1,V2の光イオン化特性を評価した。講演では、それぞれのイオン化断面積の励起波長依存性と、光電流を用いたスピン検出（PDMR）の感度向上に向けた最適な励起波長の選択指針について報告する。