セッション詳細

[9a-N101-1~11]15.4 III-V族窒化物結晶

2026年9月9日(水) 9:00 〜 12:00
N101 (総合教育棟 N棟)

[9a-N101-1]N極性およびIII族極性n-Al₀.₆₂Ga₀.₃₈Nにおけるオーミック接触形成機構の界面反応解析

〇渡辺 崚太1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、橘田 直樹1、加藤 晴也1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、小林 倫太朗1、谷川 智也1、北川 賢汰1、岩山 章1、小出 康夫1、三宅 秀人2、長尾 圭悟3、山本 泰司3、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工、3.(株)リガク)

[9a-N101-2]縦型 UV-B LD に向けた N 極性面 n-AlGaN のレーザーアニールによるコンタクト特性改善の検討

〇宮本 侑茉1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、渡辺 崚太1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、神 好人3、寅丸 雅光3、松本 竜弥3、島崎 好広3、南 柚香3、鳥居 博典3、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工、3.日本製鋼所)

[9a-N101-3]p-Al0.45Ga0.55Nコンタクト層を適用したAlGaN系UV-B LDの電気的特性の評価

〇(M1)北川 賢汰1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、橘田 直樹1、加藤 晴也1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、小林 倫太朗1、岩山 章1、小出 康夫1、三宅 秀人2、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)

[9a-N101-4]p-AlGaNコンタクト層を用いたAlGaN系UV-B LDの構造設計とレーザ発振の実現

〇齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、小林 倫太朗1、北川 賢汰1、岩山 章1、倉本 大1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)

[9a-N101-5]p-AlGaN コンタクト構造を用いたAlGaN系UV-B LDのデバイス特性

〇齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、小林 倫太朗1、北川 賢汰1、岩山 章1、倉本 大1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院・工)

[9a-N101-6]AlGaN系UV-A/Bレーザーダイオードにおける広帯域発振特性と長波長化の課題解析

〇谷川 智也1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、加藤 晴也1、橘田 直樹1、渡辺 崚太2、神谷 始音1、宮本 侑茉1、小林 倫太朗1、北川 賢汰1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)

[9a-N101-7]n型AlN/AlGaN超格子クラッド層の厚膜化によるAlGaN紫外レーザダイオード特性の向上

〇江端 一晃1、平間 一行1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)

[9a-N101-8]高速光無線通信に向けた深紫外レーザーダイオードの時間分解発光応答評価

〇平山 翔大1、吉川 陽2、張 梓懿2、吉田 悠来3、市川 修平1,4、小島 一信1 (1.阪大院工、2.ULTEC株式会社、3.情報通信研究機構、4.阪大電顕センター)

[9a-N101-9]265nm帯AlGaN UVC-LEDの高効率化に向けた電子ブロック層の最適化

〇佐々木 嵐汰1,2、野中 千輝1,2、鹿嶋 行雄1、松浦 恵里子1、藤川 紗千恵2,1、矢口 裕之2、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大院理工)

[9a-N101-10]Demonstration of top-emitting in AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes with high wall-plug efficiency

〇Guodong Hao1, Manabu Taniguchi1, Linjie Wei1, Shin-ichiro Inoue1 (1.NICT)

[9a-N101-11]Highly-collimated AlN-substrate deep-ultraviolet LEDs for low-bit-error-rate optical wireless communication

〇韋 霊傑1、Hao Guo-Dong1、谷口 学1、井上 振一郎1 (1.情報通信研究機構)