講演情報
[9a-N101-3]p-Al0.45Ga0.55Nコンタクト層を適用したAlGaN系UV-B LDの電気的特性の評価
〇(M1)北川 賢汰1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、橘田 直樹1、加藤 晴也1、渡辺 崚太1、宮本 侑茉1、神谷 始音1、谷川 智也1、小林 倫太朗1、岩山 章1、小出 康夫1、三宅 秀人2、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
キーワード：
AlGaNレーザー、半導体レーザー、p型AlGaN
本研究では、AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの高性能化に向け、内部光学損失と電気抵抗の低減に取り組んだ。特にp型コンタクト層へのp-Al0.45Ga0.55Nの適用を検討した。高AlNモル分率化は接触抵抗増大が懸念されるが、電極形成条件を最適化することで、従来構造と同等以上の良好なI-V特性を得ることに成功した。本手法により、内部光学損失、素子抵抗、接触抵抗という設計上のトレードオフを緩和できる可能性を示す。