セッション詳細
[9a-N102-1~12]6.1 強誘電体薄膜
2026年9月9日(水) 9:00 〜 12:15
N102 (総合教育棟 N棟)
座長:上原 雅人(産総研)、 渡邉 隆之(キヤノン)
[9a-N102-5]強誘電媒体型HDDに向けた強誘電体ナノドメインの高密度形成
〇鈴木 一平1、市原 貴幸1、大野 淳1、渋谷 綾香2、木俣 良助2、黒田 知輝2、山口 省一郎2 (1.ウエスタンデジタル、2.NGK)
[9a-N102-7]スパッタガス比により極性制御したAlN薄膜を用いた分極反転10層共振子
〇鈴木 菜々海1,2、谷口 大介1,2、花井 彩香1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大、2.材研)
[9a-N102-10]周期的に分極反転したScAlN薄膜とベタ電極からなるトランスバーサル型SAWデバイス
〇日高 悠一郎1,2、島崎 奈々1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早稲田大学、2.材研)
