セッション詳細

[9a-N102-1~12]6.1 強誘電体薄膜

2026年9月9日(水) 9:00 〜 12:15
N102 (総合教育棟 N棟)

[9a-N102-1]圧電センサによるリアルタイム歩行検知システム

〇(M2)櫻井 勇貴1、小林 遵栄1、中嶋 宇史1 (1.東理大物工)

[9a-N102-2]SNDMプローブメモリにおける瓦書き

〇長 康雄1 (1.東北大未来科学)

[9a-N102-3]NC-SNDMに基づく超高密度強誘電体記録における非接触書き込み・読み出し

〇長 康雄1、山末 耕平2 (1.東北大未来科学、2.東北大通研)

[9a-N102-4]強誘電体記録HDDにおける記録電界分布に関する検討

〇市原 貴幸1、鈴木 一平1、大野 淳1 (1.ウェスタンデジタル)

[9a-N102-5]強誘電媒体型HDDに向けた強誘電体ナノドメインの高密度形成

〇鈴木 一平1、市原 貴幸1、大野 淳1、渋谷 綾香2、木俣 良助2、黒田 知輝2、山口 省一郎2 (1.ウエスタンデジタル、2.NGK)

[9a-N102-6]MgO犠牲基板を用いたエピタキシャルK0.35N0.65N自立薄膜共振子

〇鈴木 菜々海1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大、2.材研)

[9a-N102-7]スパッタガス比により極性制御したAlN薄膜を用いた分極反転10層共振子

〇鈴木 菜々海1,2、谷口 大介1,2、花井 彩香1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大、2.材研)

[9a-N102-8]超音波パルスエコー法による薄膜材料の横波TCVの推定

〇(M2)島崎 奈々1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早稲田大、2.材研)

[9a-N102-9]構造解析に基づくスパッタSiO2薄膜のQm値およびTCVの相関の調査

〇(M2)島崎 奈々1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早稲田大、2.材研)

[9a-N102-10]周期的に分極反転したScAlN薄膜とベタ電極からなるトランスバーサル型SAWデバイス

〇日高 悠一郎1,2、島崎 奈々1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早稲田大学、2.材研)

[9a-N102-11]バルク圧電単結晶板における平行電界を用いた横波弾性波の非接触評価

〇日高 悠一郎1,2、島崎 奈々1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早稲田大学、2.材研)

[9a-N102-12]面内周期分極反転KNNエピ膜を用いた音響フレネルレンズによる超音波顕微鏡

〇(M2)小田 航1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大先進理工、2.材研)