講演情報
[9a-PA2-6]3C-SiC/4H-SiCヘテロ構造における層状欠陥を介した正孔輸送と 反転層の形成機構
〇下條 滉太1、畠山 哲夫1、櫻庭 政夫2、長澤 弘幸2,3 (1.富山県立大、2.東北大学通研、3.CUSIC)
キーワード：
3C-SiC、反転層
3C-SiC/4H-SiCヘテロ構造を用いたMOS構造では、従来のSiC MOS構造では観測が困難な反転特性が報告されている。本研究では、3C-SiC中に形成される層状欠陥（SF）4H-SiC層に着目し、TCADシミュレーションにより反転層形成機構を解析した。その結果、SF層が正孔輸送経路として機能し、MOS界面への正孔供給を促進することで反転層形成に寄与する可能性を示した。