セッション詳細
[9a-PA7-1~9]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2026年9月9日(水) 11:00 〜 12:30
PA7 (第1体育館)
[9a-PA7-1]励起波長を変えた円偏光フォトルミネッセンス測定による希薄窒化物半導体GaNAsにおける価電子帯分裂の観測
〇伊藤 誓哉1、木瀬 寛都2、高山 純一2、村山 明宏2、樋浦 諭志2 (1.北大工、2.北大院情報科学)
[9a-PA7-2]Optical spin injection and detection in low-density InAs/GaAs QD bilayers
〇Ronel Intal Roca1, Rhenish Simon1, Itaru Kamiya1 (1.Toyota Tech. Inst.)
[9a-PA7-3]スピンデバイス応用に向けたGaAsBi, GaAsNにおけるスピン依存発光の評価
〇西谷 育大1、片山 裕也1、Ji Sangmin1、牧本 俊樹2、吉本 昌弘3、国橋 要司4、眞田 治樹4、後藤 秀樹1,4 (1.広島大、2.早稲田大、3.京都工繊大、4.NTT物性基礎研)
[9a-PA7-4]CuInS2/ZnS および AgInS2/ZnS 量子ドットの発光特性に及ぼす保管雰囲気の影響
〇中神 丞雄1、山本 伸一1 (1.龍谷大先端理工)
[9a-PA7-5]リガンド交換処理によるFAPbI₃ペロブスカイト量子ドットインクの作製と太陽電池応用
〇大友 俊二1、楊 永閣1、早瀬 修二1、沈 青1 (1.電通大基盤理工)
[9a-PA7-6]青色発光ペロブスカイト量子ドットの低温合成と光物性
〇安井 慶人1、Yongge Yang1、豊田 太郎1、早瀬 修二1、沈 青1 (1.電通大基盤理工)
[9a-PA7-7]PS-PDMS ブロック共重合体による微細構造形成
〇(M1)大部 拓朗1、廣田 優希1、孟 芳竹1、李 碩1、尹 友1 (1.群馬大理工)
[9a-PA7-8]量子ドット素子内の電場環境評価に向けたStark信号解析
〇小田 大規1、鐘本 勝一1,2 (1.大阪公大院理、2.南部研)
[9a-PA7-9]ガラス基板上のチタン薄膜の高電圧陽極酸化による大きなチューブ間距離を持つ酸化チタンナノチューブ膜形成
〇降幡 颯真1、原 豪琉1、片岡 大1、木村 康男1 (1.東京工科大工)