講演情報
[9a-PB2-8]プラズマCVD法で堆積したa-C:H膜の結合様式に対する製膜条件評価
〇吉田 総一郎1、小野 晋次郎1、小原 舜平1、奥村 賢直1、鎌滝 晋礼1、古閑 一憲1、白谷 正治1 (1.九州大)
キーワード：
半導体、CVD
水素化アモルファスカーボン（a-C:H）膜の高密度化と低応力化を目的として、クメンおよびアセチレンを原料としたプラズマCVD膜の炭素構造をラマン分光法により評価した。材料ガス、圧力、放電周波数および基板バイアス電圧を変化させて製膜した結果、膜密度は約2.1 g/cm3で極大値を示した。ラマンパラメータとの比較から、膜密度の増加および低下には膜中炭素結合構造の変化が関与していることが示唆された。