講演情報
[9a-S1-5](100) Si MOSFETの4 Kにおける高Ns領域での電子移動度の定量的理解
〇高木 信一1、隅田 圭2、靳 釗2、陳 育同2、岡 博史3、森 貴洋3、竹中 充2、トープラサートポン カシディット2 (1.帝京大・先端総研、2.東大院・工、3.産総研)
キーワード：
MOSFET、移動度、散乱機構
量子コンピュータ応用に向け、4 K近傍におけるSi MOSFET動作が大きな注目を集めており、適切な回路設計のために移動度の定量的理解が求められている。本研究では、既存の散乱モデルが4 K移動度のNs依存性を再現できるかを検証し、表面ラフネス散乱にクーロン散乱を組み合わせることで、高Ns領域での４重縮退バレー電子の過剰な移動度上昇が抑制され、4 KでのSi n-MOSFET移動度の実験的なNs依存性を正確に再現できることが分かった。