2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9a-S1-1~9]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2026年9月9日(水) 9:00 〜 11:15
S1 (総合教育棟 S講義棟)
9:00 〜 9:15

[9a-S1-1]“GCCI SOI-Tr”における電流輸送メカニズムの解析

〇鈴木 恭一郎1、米崎 晴貴1,2、森 貴之1、井田 次郎1 (1.金沢工業大学、2.キオクシア)
9:15 〜 9:30

[9a-S1-2]PNBT Diodeを用いた微小立ち上がり電圧 (near-zero Vf) ダイオード

〇日向 史音1、大曽根 萌華1、柳川 虎太朗1、森 貴之1、井田 次郎1 (1.金沢工大)
9:30 〜 9:45

[9a-S1-3]シリコンナノシートトランジスタにおける最局在ワニエ関数を用いた電子格子相互作用の見積もり

〇掘井 耀1、植田 暁子1、林 喜宏1 (1.産総研)
9:45 〜 10:00

[9a-S1-4]GAAトランジスタを用いたスピン量子ビットのTCADシミュレーション

〇棚本 哲史1、大野 圭司2 (1.帝京大理工、2.理研)
10:00 〜 10:15

[9a-S1-5](100) Si MOSFETの4 Kにおける高Ns領域での電子移動度の定量的理解

〇高木 信一1、隅田 圭2、靳 釗2、陳 育同2、岡 博史3、森 貴洋3、竹中 充2、トープラサートポン カシディット2 (1.帝京大・先端総研、2.東大院・工、3.産総研)
10:15 〜 10:30奨励賞エントリー英語発表

[9a-S1-6]Characteristics of Mobility Limited by Coulomb Scattering due to MOS Interface Charges in Si n-MOSFETs at Cryogenic Temperatures

〇Zhao Jin1, Yutong Chen1, Hiroshi Oka2, Takahiro Mori2, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi3, Kasidit Toprasertpong1 (1.Univ. of Tokyo, 2.AIST, 3.Teikyo Univ.)
10:30 〜 10:45英語発表

[9a-S1-7]Surface Orientation Dependence of Interface Trap Density Reduction by Annealing in Si/SiO2 Interfaces

〇(D)Yutong Chen1, Ryotaro Shimura1, Koji Matsumoto2, Akihiro Suzuki2, Hiroaki Yamamoto2, Kazuto Matsukawa2, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi3, Kasidit Toprasertpong1 (1.Univ. Tokyo, 2.SUMCO, 3.Teikyo Univ.)
10:45 〜 11:00

[9a-S1-8]MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (19) -ユニバーサルCP法-

〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-S1-9]極低温におけるチャージポンピング法による界面特性の評価

〇宮城 渉1、渡邉 一輝1、吉永 啓人1、森田 路真1、豊島 遼1、内田 建1 (1.東大工)
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