2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

セッション詳細

一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.5 デバイス／配線／集積化技術

[9a-S1-1~9]13.5 デバイス／配線／集積化技術

2026年9月9日(水) 9:00 〜 11:15

S1 (総合教育棟 S講義棟)

座長：浅井栄大(産総研)

デバイス物理、デバイスシミュレーション、シリコン量子ビット、低温制御回路（クライオCMOS）、など

9:00 〜 9:15

[9a-S1-1]“GCCI SOI-Tr”における電流輸送メカニズムの解析

〇鈴木恭一郎¹、米崎晴貴^1,2、森貴之¹、井田次郎¹ (1.金沢工業大学、2.キオクシア)

9:15 〜 9:30

[9a-S1-2]PNBT Diodeを用いた微小立ち上がり電圧 (near-zero V_f) ダイオード

〇日向史音¹、大曽根萌華¹、柳川虎太朗¹、森貴之¹、井田次郎¹ (1.金沢工大)

9:30 〜 9:45

[9a-S1-3]シリコンナノシートトランジスタにおける最局在ワニエ関数を用いた電子格子相互作用の見積もり

〇掘井耀¹、植田暁子¹、林喜宏¹ (1.産総研)

9:45 〜 10:00

[9a-S1-4]GAAトランジスタを用いたスピン量子ビットのTCADシミュレーション

〇棚本哲史¹、大野圭司² (1.帝京大理工、2.理研)

10:00 〜 10:15

[9a-S1-5](100) Si MOSFETの4 Kにおける高Ns領域での電子移動度の定量的理解

〇高木信一¹、隅田圭²、靳釗²、陳育同²、岡博史³、森貴洋³、竹中充²、トープラサートポンカシディット² (1.帝京大・先端総研、2.東大院・工、3.産総研)

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー英語発表

[9a-S1-6]Characteristics of Mobility Limited by Coulomb Scattering due to MOS Interface Charges in Si n-MOSFETs at Cryogenic Temperatures

〇Zhao Jin¹, Yutong Chen¹, Hiroshi Oka², Takahiro Mori², Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi³, Kasidit Toprasertpong¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.AIST, 3.Teikyo Univ.)

10:30 〜 10:45英語発表

[9a-S1-7]Surface Orientation Dependence of Interface Trap Density Reduction by Annealing in Si/SiO₂ Interfaces

〇(D)Yutong Chen¹, Ryotaro Shimura¹, Koji Matsumoto², Akihiro Suzuki², Hiroaki Yamamoto², Kazuto Matsukawa², Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi³, Kasidit Toprasertpong¹ (1.Univ. Tokyo, 2.SUMCO, 3.Teikyo Univ.)

10:45 〜 11:00

[9a-S1-8]MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (19) -ユニバーサルCP法-

〇土屋敏章¹、堀匡寛¹、小野行徳¹ (1.静大電研)

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-S1-9]極低温におけるチャージポンピング法による界面特性の評価

〇宮城渉¹、渡邉一輝¹、吉永啓人¹、森田路真¹、豊島遼¹、内田建¹ (1.東大工)

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