講演情報
[9a-S1-8]MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (19) -ユニバーサルCP法-
〇土屋 敏章1、堀 匡寛1、小野 行徳1 (1.静大電研)
キーワード：
単一界面欠陥、ユニバーサルチャージポンピング法、捕獲断面積
デバイス構造パラメータの違いなど試料に依らずに，室温で測定される最大チャージポンピング（CP）電流ICPMAXから，バンドギャップ全域内に存在する界面トラップ総数を常にICPMAX/fqによって導出できるユニバーサルCP法を提案する．