講演情報
[9a-S1-9]極低温におけるチャージポンピング法による界面特性の評価
〇宮城 渉1、渡邉 一輝1、吉永 啓人1、森田 路真1、豊島 遼1、内田 建1 (1.東大工)
キーワード：
CryoCMOS、界面準位、チャージポンピング法
量子コンピュータ応用に向け，極低温におけるMOSFETの界面特性評価が重要である．本研究では，p-i-n構造FD-SOI MOSFETを用いて，チャージポンピング(CP)電流を極低温で観測することに成功した．測定周波数は10 kHzから1 MHzとした．このとき，CP電流は150 Kから50 Kまで減少し，その後増加することを確認した．CP電流温度依存性の物理的な起源については当日議論する．