講演情報
[9p-A21-11]SiC JFET差動増幅回路の高温下における特性評価
〇渡邉 大輔1,2、松永 拓也1,2、山本 真幸1,2、梅沢 仁1、佐藤 隆英2、黒木 伸一郎3、田中 保宣1 (1.産総研、2.山梨大、3.広島大)
キーワード：
4H-SiC、高温、差動増幅回路
本研究では、SiC JFETを用いた差動増幅回路について、室温から300 ℃までの高温下において、各温度における周波数特性を評価した。その結果、温度が上昇するにつれ徐々に直流利得は低下した。これは、温度変化に伴いJFETの伝達特性が変化し、相互コンダクタンスが減少したためと考えられる。一方、カットオフ周波数は変化しなかった。