講演情報
[9p-A21-13]4H-SiC アクティブピクセルセンサの300℃高温動作
〇秦 佑輔1、目黒 達也1、武山 昭憲2、大島 武2、児島 一聡3、田中 保宣3、前田 知徳1,4、瀬崎 洋1,4、黒木 伸一郎1 (1.広島大RISE、2.量研、3.産総研、4.フェニテックセミコンダクター)
キーワード：
シリコンカーバイド、イメージセンサ、高温
シリコンカーバイド(SiC)が熱に強い半導体材料として注目されている。本研究ではSiCのポリタイプの1種である4H-SiCを用いてアクティブピクセルセンサ(APS)を作製し、300℃までの高温動作を実証した。測定には波長320 nm、光強度のＵＶを照射し光応答特性を確認した。リセット電位と光照射後の電圧差が、光強度を反映するが、室温で0.39 V、300℃で0.53 Vであった。高温による熱励起やしきい値のシフトが原因と考えられる。