[9p-A21-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:30 〜 17:45

[9p-A21-14] 4H-SiC＜11-23＞方向における電子阻止断面積の注入原子番号依存性の予測

〇望月 和浩¹、西村 智朗¹、三島 友義¹、堀切 文正¹、太田 博^1,2 (1.法政大、2.デバイズテック)

キーワード：

炭化珪素、イオン注入、電子阻止断面積