[9p-A21-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:30 〜 14:45

[9p-A21-3] Hot-wire法で窒化したSiC / SiO₂界面を有するSiC MOSFET

〇奥 友希¹、西口 浩平¹、戸塚 正裕¹、中川 康幸¹、渡辺 友勝¹ (1.三菱電機)

キーワード：

ホットワイヤー法、表面窒化、SiC MOSトランジスタ

Hot-wire法による表面窒化処理をSiC/SiO₂界面に適用しSiC MOSFETを作製し特性を評価した。