[9p-A21-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[9p-A21-5] 第一原理計算によるSiO₂/SiC界面欠陥の特性評価：SiCバルク欠陥との比較

〇(D)岩本 蒼典¹、原 征大¹、渡部 平司¹、小林 拓真¹ (1.阪大院工)

キーワード：

SiC、第一原理計算、発光中心