講演情報
[9p-A21-6]4H-SiC伝導帯向け強束縛モデルに基づく反転層の電子状態計算
〇永溝 幸周1、森 伸也1 (1.阪大院工)
キーワード：
炭化ケイ素、反転層、強束縛近似法
4H-SiC反転層におけるチャネル移動度劣化要因の解明に向けては，4H-SiC界面近傍の原子論的な記述と高い計算効率とを両立したモデルが必要である．本研究では，発表者が提案した高計算効率かつ高精度に4H-SiC伝導帯を記述する強束縛モデルに基づいて4H-SiC界面を記述し，反転層の電子状態を計算した結果，第一原理計算の報告に整合する電子状態の特徴が得られた．