講演情報
[9p-A21-7]Fowler-Nordheimストレスを与えた4H-SiC(0001) MOSFETの伝導帯側界面準位の電流検出ESR分光観察
〇島袋 聞多1、安達 慧悟1、染谷 満2、平井 悠久2、渡部 平司3、梅田 享英1 (1.筑波大、2.産総研、3.大阪大)
キーワード：
半導体、ワイドバンドギャップ、MOS界面
4H-SiC(0001) MOSFETにFN（Fowler-Nordheim）ストレスによって生じた伝導帯側界面準位をEDMR 分光により調べた。３つの水準（ドライ酸化、ドライ酸化＋ウェット酸化、ドライ＋ウェット酸化＋FNストレス）のうち、FNストレスを与えた試料のEDMR信号強度が最も大きく、これはFNストレスによって界面準位が増加していることを示している。