[9p-A21-1~15] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

15:45 〜 16:00

[9p-A21-8] 多周波アドミタンス解析による4H-SiC MOSキャパシタのMartens型時定数評価

〇岡本 大¹、染谷 満² (1.富山県立大、2.産総研)

キーワード：

半導体、弱いフェルミレベルピニング