講演情報
[9p-A22-7]ゲート・オーバードライブVov起因のIDsatの長/短チャネル動作の遷移
〇執行 直之1、三浦 沖1 (1.熊本大学)
キーワード：
ゲート・オーバードライブ、ドレイン飽和電流
MOSFETのドレイン飽和電流IDsatは，ゲート・オーバードライブVov (= VG - Vth)に関して，長チャネルではVovの2乗に比例し，短チャネルではVovに比例することが知られている．本稿では，長チャネル動作から短チャネル動作へのIDsatの遷移について報告する．また，IDsatの動作領域がチャネル長Lのみならず，Vovにも依存することを示す．