講演情報
[9p-A22-8]基板不純物が作るランダムポテンシャルを考慮した MOSFET における電子輸送モンテカルロシミュレーション
〇加藤 薫1、田中 一1,2、森 伸也1 (1.阪大院工、2.関学大工)
キーワード：
半導体、極低温
MOSFET において，基板不純物起源のポテンシャル乱れを考慮すると，平均化した状態密度に指数関数型テールが現れる．本研究では，離散アクセプタ由来のランダムポテンシャル中での電子輸送を，モンテカルロ法を用いて計算し，テール状態が輸送特性に与える影響を解析した．