講演情報
[9p-A33-14]MoS2電界効果トランジスタの水誘起動作不安定性メカニズムの検討
〇(M2)阪井 大雅1、野内 亮1 (1.大阪公立大院工)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、水由来イオン、環境効果
二次元半導体FETは水分子によりヒステリシス等の動作不安定性を示す。剥離MoS2 FETの湿度依存性を評価した結果、湿度上昇に伴うゲート起因のヒステリシス増大が確認された。一方、高湿下ではオンセット電圧がドレイン電圧に依存して大きく負へシフトし、コンタクト障壁やチャネルの変調が示唆された。以上より、水誘起動作不安定性の理解には、ゲートとドレインの両電圧の効果を分離した解析が不可欠である。