講演情報
[9p-A33-8]イオン注入による二硫化モリブデン薄膜のP型/N型制御およびTFT特性
〇土田 正道1、宇井 利昌2、山根 裕也2、安田 圭祐2、曽根崎 悟2、清水 耕作 (1.日大生産工、2.日新イオン機器(株))
キーワード：
二次元材料、硫化モリブデン、薄膜トランジスタ
我々は大面積ディスプレイ用トランジスタを作製するために、層状物質である二硫化モリブデンを用いる研究を行っている。本研究では製造コストを抑えつつ、TFTの高性能化を目指している。低コスト化の一環として原子状処理をより量産性に優れているイオン注入法に変更し、伝達特性を評価した。