[9p-B11-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[9p-B11-1] ルチル型GeO₂薄膜の高圧固相エピタキシー

〇柴田 敬司¹、野田 涼太¹、川村 史朗²、遊佐 斉²、宮川 仁²、山田 直臣¹ (1.中部大院工、2.物質・材料研究機構)

キーワード：

ルチル型GeO2、高圧、固相エピタキシー