[9p-B11-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[9p-B11-2] 固相エピタキシー法によるSb添加ルチル型GeO₂の合成と電気伝導性評価

〇(M2)大澤 翔平¹、花房 宏明²、岡 大地¹、廣瀬 靖¹ (1.都立大院理、2.広大院先進理工)

キーワード：

GeO2、ワイドバンドギャップ半導体、酸化物半導体

ルチル型GeO₂(r-GeO₂)はn 型/p 型の両極性ドーピングの可能性が理論的に予測されていることから、パワーエレクトロニクスへの応用が期待されている。本研究では、低温で堆積した非晶質 GeO₂薄膜をアニールして結晶化させる固相エピタキシー法により、Sb添加r-GeO₂が均一に結晶化した単結晶薄膜を合成することに成功した。講演では、Sb添加量と結晶成長や電気伝導特性の関係について議論する予定である。