講演情報
[9p-B11-4]水素プラズマ処理によるルチル型GeO2への水素添加とイオン伝導性
〇鈴木 朝也1、井手 啓介1、片瀬 貴義1,2、平松 秀典1,2、細野 秀雄1、神谷 利夫1 (1.科学大元素、2.科学大フロ研)
キーワード：
ワイドギャップ酸化物半導体、酸化ゲルマニウム、水素ドーピング
両極性伝導可能な超ワイドギャップ酸化物半導体としてルチル型GeO2が期待されているが、ドーピング手法は未だ確立されていない。薄膜成長過程での再蒸発とアモルファス形成がドーピング制御の障壁となっていた。本研究では、水素プラズマ処理を用いたポストプロセスを採用することで、水素添加による電気伝導性を実証した。電気特性評価と第一原理計算の結果から、格子間水素によるイオン伝導と電子伝導が共存することを明らかにした。