講演情報
[9p-B11-7]ミストCVD法によるr-GeO2(101)薄膜の成長に及ぼす成長温度の影響
〇北 尚生1、清家 一朗1、三宅 裕樹1,2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.ミライズテクノロジーズ)
キーワード：
酸化ゲルマニウム、GeO2、ミストCVD
r-GeO2は4.6eVの大きなバンドギャップを持つことに加え、pn両極ドーピングが理論的に予測されており、バルク結晶育成が可能であることから、次世代パワー半導体材料として期待されている。その中で、r-GeO2のエピタキシャル成長の報告はされているが、平坦性の良い薄膜の成長に関しては課題がある。本研究では、表面平坦性の良いr-GeO2薄膜形成を目指し、MistCVD法を用いて成膜温度の変更を行った。