講演情報
[9p-E208-10]銀ナノ粒子が含まれるフォトレジストを用いた残膜レスUV-NIL, および転写パターンの導電性評価
〇(M2)芦田 拓望1、谷口 淳1 (1.東理大工)
キーワード：
UV-NIL、銀ナノ粒子フォトレジスト、選択性UV-NIL
本研究では銀ナノ粒子を含むフォトレジストを用いたUV-NILで配線を形成する手法を提案する. 加えてUV-NILの際, 凸部に遮光膜を形成したモールドを用いることで現像で残留膜を除去できるプロセスについて提案, および配線パターンの形状, 導電性について評価する.