講演情報
[9p-E208-2]軟Ｘ線共鳴散乱法によるレジスト凝集のプロセス影響評価
〇田中 歩1、山川 進ニ1、吉村 真史2、早勢 直紀1、原田 哲男1 (1.兵庫県立大学、2.スプリングエイトサービス)
キーワード：
半導体、リソグラフィ、軟X線共鳴散乱
EUVリソグラフィにおける線幅バラつき低減に向け、レジスト薄膜内部のナノスケール構造評価が重要である。本研究では、反射型RSoXSを用いて、露光やPEBなどのレジストプロセスが薄膜内部構造に与える影響を、PolymerとCARの散乱プロファイル比較により評価した。さらに、非共鳴エネルギーと共鳴エネルギーでの測定結果を比較し、化学構造に由来する内部構造変化の評価を試みた。