講演情報
[9p-E208-3]短波長EUVリソグラフィーのためのCMOS検出器を用いた高ダイナミックレンジ反射率測定の検討
〇(M1)坊垣 亮輔1、早勢 直紀1、吉村 真史2、山川 進二1、原田 哲男1 (1.兵庫県立大学、2.スプリングエイトサービス)
キーワード：
短波長EUV、CMOS検出器、反射率測定
AI技術の拡大に伴い、高性能・省電力半導体に向けた短波長EUVリソグラフィーの研究が重要となっている。本研究では、ニュースバルBL10反射率計にCMOSセンサを導入し、ZEP520Aレジストの波長3.1 nm反射率測定を実施した。従来のSiフォトダイオードでは約4桁であったダイナミックレンジを7桁に向上させ、低反射率領域でも高精度な光学定数測定を可能にした。