講演情報
[9p-E215-11]フッ化グラフェンを用いた不揮発性メモリ作製プロセスの開発と電荷捕獲機構の解明
眞下 航平1、川合 遼一1、唐 佳藝2、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1、〇野平 博司1 (1.東京都市大学、2.高輝度光科学研究センター)
キーワード：
グラフェン、フッ化グラフェン、原子層堆積
二次元層状材料グラフェン(Gr)はフッ化処理により絶縁性のフッ化グラフェン(FGr)となり、これを電荷捕獲層とした不揮発性メモリの動作が実証されているが、歩留まりが非常に低いという課題があった。本研究では、TCNQ単分子膜を用いてFGr上への均一なALD-Al2O3堆積を実現し、さらに電極直下以外のFGrをドライエッチングで除去することで歩留まりを向上させた。加えて、FGrの積層化によりメモリ特性向上と電荷捕獲機構の解明を目指した。