講演情報
[9p-E215-18]二次元材料酸化物ナノシート上での極薄アルミナ膜の原子層堆積成長
〇(M1)上嶋 唯暉1、杉本 渉2、野内 亮1 (1.大阪公立工、2.信州大繊維)
キーワード：
二次元材料、絶縁膜形成、均一成長
原子層堆積法(ALD)は均一な極薄絶縁膜形成が可能だが、化学的に不活性な二次元材料上では良好な成膜が困難である。しかし、表面核形成のための表面酸化処理は損傷を与える恐れがある。これに対し我々は、自然酸化膜を形成するTaS2上では、O2プラズマ処理無しでもALD成長可能であることを示した。本講演では、表面が既酸化状態である二次元酸化物RuO2ナノシート上でも処理無しの成長が可能であることを報告する。