講演情報
[9p-E215-9]膜厚制御可能なSi基板上エピタキシャルCaSi2薄膜の形成方法開発とその熱電特性
〇寺田 吏1、吉崎 高士1、石部 貴史1,2、成瀬 延康3、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.滋賀医大)
キーワード：
シリセン、エピタキシャル成長、熱電材料
Siの二次元原子層であるシリセンは、グラフェンに匹敵する高いキャリア移動度を示すことからポストグラフェン材料として期待されている。しかしながら、シリセンは大気中で不安定であり、実現が難しい。我々は、多層シリセン層間にCa層を挿入し、大気安定性を向上させたCaSi2に着目した。本研究では、膜厚と組成を自在に制御可能な同時蒸着法によるCaSi2薄膜の形成方法を確立し、それらの熱電特性を明らかにすることを目的とする。