講演情報
[9p-E217-6]大気開放型CVD法によるCdZnSバッファ層の基板温度依存性
〇岡本 保1、島田 拓弥1、栗本 祐司1、金井 綾香2、田中 久仁彦2 (1.木更津高専、2.長岡技大)
キーワード：
バッファ層、CdZnS、大気開放型CVD
大気開放型CVD法により500℃以上の高温でのバッファ層用CdZnS膜の作製を試み、基板温度の影響を検討した。CdS膜では450℃以上でPL強度は急激に減少したが、ZnS膜では530℃の高温においてもPL発光が観測された。CdZnS混晶膜においては、450℃以上でCdS膜に比べて強いPL発光が観測された。この結果は、成膜に適した基板温度がCd原料比によって異なることを示唆している。