セッション詳細
[9p-E217-1~9]13.9 化合物太陽電池
2026年9月9日(水) 13:30 〜 16:00
E217 (総合教育棟 E棟)
[9p-E217-1]不感領域のないCIGS荷電粒子位置検出器の作製
〇浦崎 圭吾1、西永 慈郎2,3、奥村 宏典1 (1.筑波大数理、2.早大理工、3.AIST)
[9p-E217-2]低温成膜によるCu(In,Ga)Se2太陽電池の放射線損傷回復
〇西永 慈郎1,2、外川 学3 (1.早大理工、2.産総研、3.KEK)
[9p-E217-3]宇宙用CIGS太陽電池の熱劣化特性の評価
〇(M1)柿原 康生1、瀬戸口 典明2、高荷 昌承2、千葉 善之2、高本 達也1、西岡 賢祐1 (1.宮崎大工、2.出光興産株式会社次世代技術研究所)
[9p-E217-4]Cu(In,Ga)Se2光デバイス実動作中の遅い過渡光電気応答によるキャリア輸送過程観測
〇植田 かな1,3、杉山 睦1,2、Fix Thomas4,5 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研、3.学振特別研究員DC、4.ICube Lab.、5.CNRS, Univ. of Strasbourg)
[9p-E217-5]高効率半透明構造CIGSe太陽電池に向けたp型SnO正孔輸送層の開発
〇橋本 雅喜1、阿部 鷹介1、西村 昂人1 (1.科学大工)
[9p-E217-6]大気開放型CVD法によるCdZnSバッファ層の基板温度依存性
〇岡本 保1、島田 拓弥1、栗本 祐司1、金井 綾香2、田中 久仁彦2 (1.木更津高専、2.長岡技大)
[9p-E217-7]ミストCVD法による太陽電池用BaZrS3薄膜の形成技術の開発
〇(M2)横澤 恒星1、木本 祥紀2、加藤 拓也2、西村 昂人1 (1.東京科学大、2.出光興産(株))
[9p-E217-8]ヨウ化物イオン共存下でのBiドープn型SnS単結晶の育成と物性評価
〇(M2)鶴田 伊万里1、福井 慧賀1、小俣 香織1、柳 博1 (1.山梨大学大学院工)
[9p-E217-9]組成制御によるCu2Oの少数キャリア寿命の向上
〇松崎 功佑1、Vu Huyen Thi Ngoc2、布村 正太1、反保 衆志1、永井 武彦3、熊谷 悠2 (1.産総研、2.東北大金研、3.近大)
