講演情報
[9p-E217-7]ミストCVD法による太陽電池用BaZrS3薄膜の形成技術の開発
〇(M2)横澤 恒星1、木本 祥紀2、加藤 拓也2、西村 昂人1 (1.東京科学大、2.出光興産(株))
キーワード：
半導体、BaZrS3、ミストCVD
カルコゲナイド系ペロブスカイトであるBaZrS₃は、高い光吸収係数と広い禁制帯幅を有することから薄膜系タンデム太陽電池トップセル材料として有望である。本研究ではミストCVD法に着眼し、従来よりも低い500℃程度の温度域での薄膜形成法を検討した。キャリアガス流量や原料溶液中Ba/Zr比などのミスト法の主要な条件が、BaZrS₃薄膜の各種物性に対して与える影響について詳細に議論する。