[9p-E311-1~21] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、15.4 Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶のコードシェアセッション

13:15 〜 13:30

[9p-E311-1] (Al_1-xSc_x)N薄膜における結晶性および強誘電性のSc/(Al+Sc)比および膜厚依存性

〇(D)道古 宗俊^1,2、松井 尚子¹、入澤 寿和¹、恒川 孝二¹、岡本 一輝²、舟窪 浩² (1.キヤノンアネルバ、2.東京科学大)

キーワード：

AlScN、ロジック混載メモリ、強誘電体メモリ

回路とメモリを同一チップ上に集積したロジック混載メモリが注目されている。我々は、(Al_1-xSc_x)N膜のロジック混載メモリへの適用を目指して、配線層間に適用可能なスタック総膜厚30 nmの薄膜化に成功した。しかし、ロジック混載メモリに適用するためには、動作電圧低減の為、Sc/(Al+Sc) 比の増加による抗電界の低減、および更なる (Al_1-xSc_x)N膜厚の低減が必要となる。本研究では、種々の膜厚の (Al_1-xSc_x)N膜において、Sc/(Al+Sc) 比を変化させたときの、膜特性の評価を行った。