[9p-E311-1~21] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、15.4 Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶のコードシェアセッション

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[9p-E311-14] MOCVD法によるAlYN 薄膜の成長と結晶構造解析

〇成田 俊¹、清水 裕大¹、飯田 大輔¹、池尻 圭太郎¹、池永 和正¹ (1.日本酸素)

キーワード：

AlYN、窒化物半導体、有機金属気相成長法