[9p-E311-1~21] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、15.4 Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶のコードシェアセッション

17:15 〜 17:30

[9p-E311-15] スパッタ法によるSiC基板上へのBAlN薄膜のエピタキシャル成長

〇池田 和久¹、渋谷 悠人¹、小林 篤¹ (1.理科大院先進工)

キーワード：

半導体、窒化物半導体、スパッタリング