講演情報
[9p-E311-18]選択成長を利用した単結晶AlN膜の電界印加による極性反転の検討
〇木村 俊1、照元 幸次1、奥 良彰1 (1.ローム株式会社)
キーワード：
窒化アルミ、AlN、単結晶
高周波・高耐電力BAW共振子の高性能化に向け、分極反転構造を形成可能な単結晶圧電膜の極性制御技術が重要となる。本研究では、単結晶AlN膜に電界を印加し、極性反転の可能性を検討した。電界印加後のエッチング評価により、極性変化を示唆する表面状態の変化を確認した。本発表では、分極反転型デバイス実現に向けた単結晶AlN膜の極性制御について、電界印加前後の極性判定の結果を報告する。