[9p-E311-1~21] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、15.4 Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶のコードシェアセッション

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[9p-E311-2] AlN中間層膜厚を変化させたScAlN/AlN/GaNヘテロ構造の強誘電性評価

〇佐藤 早和紀¹、池田 和久¹、城谷 光亮²、前田 拓也²、舟窪 浩³、小林 篤¹ (1.理科大院先進工、2.東大院工、3.科学大物院)

キーワード：

強誘電体、半導体、スパッタリング

ScAlNは、従来の強誘電体に比べて高い残留分極と優れたスケーラビリティを示し、GaN上へのエピタキシャル成長が可能であることから、新規強誘電体材料として注目されている。我々はこれまで、ScAlN/n型GaN界面にAlN中間層を挿入し、その強誘電性を評価してきた。本研究では、AlN中間層の膜厚依存性に着目し、構造特性および電気特性の評価を行った。