講演情報
[9p-E311-21]多能性®中間膜を用いたスパッタ法による高品質GaN薄膜の作製と結晶性評価
〇關 雅志1、木島 健1、高橋 邦方1、木村 勲1、中尾 健人1 (1.株式会社Gaianixx)
キーワード：
エピタキシャル成⻑、単結晶薄膜
ワイドバンドギャップ半導体であるGaNはパワーデバイス等へ広く応用されているが、高品質膜の成膜にはサファイア基板上への高温MOCVD法が不可欠であり、コストや基板制限が課題である。本研究では、マルテンサイト変態による動的格子マッチングにより異種材料間の格子歪みを緩和する多能性®中間膜に着目し、低コスト・低温プロセスであるスパッタ法を用いた高品質GaN単結晶膜の形成を試みた。XRDロッキングカーブ測定の結果、膜厚増加に伴い半値幅（FWHM）が劇的に減少し、サファイア基板上MOCVD-GaN膜と同等の高い結晶性を達成した。