[9p-E311-1~21] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、15.4 Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶のコードシェアセッション

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[9p-E311-3] 低温製膜したSi基板上エピタキシャルAlScN薄膜の格子歪および強誘電特性

〇(M2)青木 悠佑¹、安岡 功樹¹、吉村 武^1,2 (1.阪公大院工、2.豊橋技科大)

キーワード：

強誘電体薄膜、AlScN、ウルツ鉱構造

AlScN薄膜の低電圧動作に向けた薄膜化では、界面状態や格子歪の制御が重要となる。本研究では、熱負荷を抑えた低温製膜プロセスの確立を目的として、Si(111)基板上に室温〜320 ℃でAlScN薄膜を製膜した。XRD測定により全ての成長温度でエピタキシャル成長を確認し、P–E測定により室温成膜を含む全試料で強誘電性を確認した。