講演情報
[9p-E311-5]4D-STEMケプストラムマッチングによるScAlN薄膜のミクロ組織解析
〇新津 甲大1、平田 研二2、中澤 克昭1、三石 和貴1、アンガライニ スリアユ2、上原 雅人2、秋山 守人2 (1.物材機構、2.産総研)
キーワード：
4D-STEM、ScAlN、圧電
ウルツ鉱型AlNのAlの一部をScで置換したScAlN薄膜は、その優れた圧電性能と強誘電性の発現から次世代圧電・強誘電材料として注目されている。特に圧電性能の向上には高濃度のScを固溶させることが求められるが、固溶量の増大に伴い結晶性およびc軸配向性の低下や異相生成といった問題が生じることが知られている。本研究では、ScAlN薄膜の断面組織に対し、4D-STEM法によりAreal CBED(収束電子線回折)像を取得し、ケプストラム処理をした上でテンプレートマッチングを行うことで結晶構造および結晶方位の同定を行い、構造分布および相間の格子対応について調査した。