[9p-E311-1~21] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、15.4 Ⅲ-Ⅴ族窒化物結晶のコードシェアセッション

14:30 〜 14:45

[9p-E311-6] スパッタリング法によるシリコン基板上への高Sc濃度ScAlNの製膜

〇上原 雅人^1,2、行徳 明¹、平田 研二¹、新津 甲大³、Anggraini Sri Ayu¹、豊田 礼規²、秋山 守人¹ (1.産総研、2.九大院、3.物材機構)

キーワード：

圧電体、ScAlN、スパッタリング

高周波フィルタとして利用されるScAlNについて、更なる性能向上に向けてSc高濃度化技術が求められている。本研究では、シリコン基板上において中間層を用いずに高Sc濃度ScAlN薄膜の作製を試みた。Sc濃度51 at.%でもウルツ鉱構造を維持した薄膜を作製することができ、その膜は高い圧電定数を示した。