講演情報
[9p-E311-7]RF-MBE法によるGaNテンプレート上へのScAlN成長
〇西 勇人1、前田 琉晴1、多田 悠真1、中本 トラン2、Islam Md.Earul3、藤井 高志3、杉江 隆一1、荒木 努1 (1.立命館大院、2.R-GIRO、3.総合科学技術研)
キーワード：
ScAlN薄膜、RF-MBE、結晶成長
ScAlN薄膜の高品質成長を目的として、RF-MBE法によりGaNテンプレート上へのScAlN成長を行った。Sc/Al flux比および成長温度を変化させ、成長条件が結晶性、表面平坦性およびSc組成に与える影響を調査した。その結果に基づき、高品質ScAlN成長に適した条件について検討した。