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15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[9p-E311-8]PA-MBE成長ScAlN/GaNヘテロ構造のリーク電流及び光電流の評価

〇城谷光亮¹、久保田航瑛¹、佐々木洸¹、中根了昌¹、前田拓也¹ (1.東大工)

キーワード：

ScAlN、PA-MBE、光電流

ScAlNは，大きなバンドギャップや圧電係数，強い自発分極，強誘電性などの物性を持ち，GaNデバイスとの融合による新機能の発現が期待される．近年，複数の結晶成長法によりScAlN/GaN構造におけるScAlNの強誘電性が確認されているが MBE法による報告は限定的である．そこで，本研究ではPA-MBE法によりScAlN/GaNヘテロ構造を作製し，その構造特性，リーク電流特性，光電流特性を調べた．

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