講演情報

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[9p-N101-11]HVPE法を用いたp-GaN/UID-GaN多層構造におけるMg濃度プロファイルのMg濃度依存性の検討

〇西脇千裕¹、藤元直樹²、田中敦之²、本田善央^2,3,4、天野浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

ハライド気相成長、Mg拡散、窒化ガリウム

Mgのメモリー効果の影響を抑制したnp独立ノズル型HVPE炉を用いてp-GaN層とUID-GaN層の多層構造をHVPE法で作製し, p-GaN層中のMg濃度を変更した際のMg濃度プロファイルを二次イオン質量分析で評価した. p-GaN層中のMg濃度が2×10¹⁸ cm⁻³の試料では, UID-GaN層中のMg濃度がDL(5×10¹⁵ cm⁻³)以下であった一方, p-GaN層中のMg濃度が1×10¹⁹ cm⁻³の試料では, UID-GaN層中に10¹⁶ cm⁻³程度のMg濃度が観測された. 以上よりMg濃度に応じてMgの拡散量が変化し, Mg濃度プロファイルへ影響することが示唆された.

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